절연 게이트 양극성 트랜지스터

Qualità:

L'articolo "절연 게이트 양극성 트랜지스터" nella Wikipedia in coreano ha 11.9 punti per la qualità (al 1 luglio 2025). L'articolo contiene 0 riferimenti e 7 sezioni. L'articolo contiene anche un modello di difetti di qualità, che riduce il punteggio di qualità.

Questo articolo ha la migliore qualità nella Wikipedia in inglese. Inoltre, questo articolo è il più popolare in quella versione linguistica.

Dalla creazione dell'articolo "절연 게이트 양극성 트랜지스터", il suo contenuto è stato scritto da 13 utenti registrati di Wikipedia in coreano e modificato da 989 utenti registrati di Wikipedia in tutte le lingue.

L'articolo è citato 286 volte nella Wikipedia in coreano e citato 4380 volte in tutte le lingue.

Il grado di interesse degli autori più alto dal 2001:/p>

• Locale (coreano): N. 557 nel dicembre 2006
• Globale: N. 6810 nel febbraio 2023

Il grado di popolarità più alto dal 2008:

• Locale (coreano): N. 2331 nell'aprile 2010
• Globale: N. 22907 nell'ottobre 2013

Ci sono 31 versioni linguistiche per questo articolo nel database WikiRank (delle 55 edizioni linguistiche di Wikipedia considerate).

La valutazione della qualità e della popolarità si basava sui dump di Wikipedia del 1 luglio 2025 (inclusa la cronologia delle revisioni e le visualizzazioni di pagina degli anni precedenti).

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con la massima qualità.

#	Lingua	Grado di qualità	Punteggio di qualità
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		72.3103
2	estone (et) Isoleeritud paisuga bipolaartransistor		42.9485
3	francese (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		40.5182
4	ungherese (hu) IGBT		37.6691
5	rumeno (ro) Tranzistor IGBT		31.0744
6	cinese (zh) 絕緣柵雙極晶體管		29.0471
7	vietnamita (vi) IGBT		26.4633
8	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		24.1055
9	spagnolo (es) Transistor IGBT		23.365
10	svedese (sv) IGBT		22.9939

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche più popolari dell'articolo.

#	Lingua	Premio di popolarità	Popolarità relativa
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		4 055 817
2	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 108 037
3	giapponese (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		1 107 991
4	spagnolo (es) Transistor IGBT		898 014
5	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		668 729
6	cinese (zh) 絕緣柵雙極晶體管		482 479
7	francese (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		479 276
8	polacco (pl) IGBT		313 429
9	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		229 700
10	portoghese (pt) IGBT		214 453

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con la maggiore popolarità nell'ultimo mese.

#	Lingua	Premio di popolarità	Popolarità relativa
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		9 660
2	giapponese (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		2 290
3	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 720
4	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1 662
5	cinese (zh) 絕緣柵雙極晶體管		1 539
6	spagnolo (es) Transistor IGBT		1 110
7	francese (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		1 001
8	polacco (pl) IGBT		587
9	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		388
10	ceco (cs) IGBT		331

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con il maggiore interesse degli autori.

#	Lingua	Premio IA	IA relativi
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		201
2	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		99
3	francese (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		89
4	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		62
5	giapponese (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		53
6	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		52
7	olandese (nl) Insulated-gate bipolar transistor		41
8	cinese (zh) 絕緣柵雙極晶體管		36
9	vietnamita (vi) IGBT		33
10	polacco (pl) IGBT		31

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con il maggiore interesse degli autori nell'ultimo mese.

#	Lingua	Premio IA	IA relativi
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		1
2	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		1
3	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1
4	arabo (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		0
5	bulgaro (bg) IGBT транзистор		0
6	catalano (ca) Transistor bipolar de porta aïllada		0
7	ceco (cs) IGBT		0
8	danese (da) Insulated-gate bipolar transistor		0
9	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		0
10	spagnolo (es) Transistor IGBT		0

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con il maggior numero di citazioni.

Il 8 luglio 2025 nella Wikipedia multilingue gli utenti di Internet leggono più spesso articoli sui seguenti argomenti: Diogo Jota, João Pedro (calciatore 2001), Ozzy Osbourne, Laura Siegemund, Aryna Sabalenka, Julian McMahon, Jurassic World - La rinascita, Coppa del mondo per club FIFA 2025, Amanda Anisimova, F1 - Il film.

Nella Wikipedia in coreano gli articoli più popolari quel giorno erano: 문화방송, 한국방송공사, 한국교육방송공사, 기후변화, 케이팝 데몬 헌터스, 타히티섬, 강호순, 문원 (가수), 이진숙 (언론인), 최지우.

Il progetto è finalizzato alla valutazione relativa automatica degli articoli nelle diverse versioni linguistiche di Wikipedia. Al momento il servizio permette di confrontare oltre 44 milioni di articoli di Wikipedia in 55 lingue. I punteggi di qualità degli articoli si basano sui dump di Wikipedia del luglio 2025. Nel calcolare la popolarità attuale e l'intelligenza artificiale degli articoli sono stati presi in considerazione i dati del giugno 2025. Per i valori storici di popolarità e AI WikiRank ha utilizzato dati dal 2001 al 2025... More information