IGBT

Qualità:

L'articolo "IGBT" nella Wikipedia in finlandese ha 20.8 punti per la qualità (al 1 luglio 2025). L'articolo contiene 3 riferimenti e 3 sezioni.

Questo articolo ha la migliore qualità nella Wikipedia in inglese. Inoltre, questo articolo è il più popolare in quella versione linguistica.

Dalla creazione dell'articolo "IGBT", il suo contenuto è stato scritto da 13 utenti registrati di Wikipedia in finlandese e modificato da 989 utenti registrati di Wikipedia in tutte le lingue.

L'articolo è citato 16 volte nella Wikipedia in finlandese e citato 4380 volte in tutte le lingue.

Il grado di interesse degli autori più alto dal 2001:/p>

• Locale (finlandese): N. 5064 nel gennaio 2011
• Globale: N. 6810 nel febbraio 2023

Il grado di popolarità più alto dal 2008:

• Locale (finlandese): N. 4853 nel settembre 2024
• Globale: N. 22907 nell'ottobre 2013

Ci sono 31 versioni linguistiche per questo articolo nel database WikiRank (delle 55 edizioni linguistiche di Wikipedia considerate).

La valutazione della qualità e della popolarità si basava sui dump di Wikipedia del 1 luglio 2025 (inclusa la cronologia delle revisioni e le visualizzazioni di pagina degli anni precedenti).

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con la massima qualità.

#	Lingua	Grado di qualità	Punteggio di qualità
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		72.3103
2	estone (et) Isoleeritud paisuga bipolaartransistor		42.9485
3	francese (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		40.5182
4	ungherese (hu) IGBT		37.6691
5	rumeno (ro) Tranzistor IGBT		31.0744
6	cinese (zh) 絕緣柵雙極晶體管		29.0471
7	vietnamita (vi) IGBT		26.4633
8	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		24.1055
9	spagnolo (es) Transistor IGBT		23.365
10	svedese (sv) IGBT		22.9939

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche più popolari dell'articolo.

#	Lingua	Premio di popolarità	Popolarità relativa
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		4 055 817
2	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 108 037
3	giapponese (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		1 107 991
4	spagnolo (es) Transistor IGBT		898 014
5	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		668 729
6	cinese (zh) 絕緣柵雙極晶體管		482 479
7	francese (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		479 276
8	polacco (pl) IGBT		313 429
9	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		229 700
10	portoghese (pt) IGBT		214 453

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con la maggiore popolarità nell'ultimo mese.

#	Lingua	Premio di popolarità	Popolarità relativa
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		9 660
2	giapponese (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		2 290
3	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		1 720
4	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1 662
5	cinese (zh) 絕緣柵雙極晶體管		1 539
6	spagnolo (es) Transistor IGBT		1 110
7	francese (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		1 001
8	polacco (pl) IGBT		587
9	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		388
10	ceco (cs) IGBT		331

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con il maggiore interesse degli autori.

#	Lingua	Premio IA	IA relativi
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		201
2	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		99
3	francese (fr) Transistor bipolaire à grille isolée		89
4	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		62
5	giapponese (ja) 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ		53
6	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		52
7	olandese (nl) Insulated-gate bipolar transistor		41
8	cinese (zh) 絕緣柵雙極晶體管		36
9	vietnamita (vi) IGBT		33
10	polacco (pl) IGBT		31

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con il maggiore interesse degli autori nell'ultimo mese.

#	Lingua	Premio IA	IA relativi
1	inglese (en) Insulated-gate bipolar transistor		1
2	italiano (it) Transistor bipolare a gate isolato		1
3	russo (ru) Биполярный транзистор с изолированным затвором		1
4	arabo (ar) ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة		0
5	bulgaro (bg) IGBT транзистор		0
6	catalano (ca) Transistor bipolar de porta aïllada		0
7	ceco (cs) IGBT		0
8	danese (da) Insulated-gate bipolar transistor		0
9	tedesco (de) Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode		0
10	spagnolo (es) Transistor IGBT		0

La tabella seguente mostra le versioni linguistiche dell'articolo con il maggior numero di citazioni.

Il 12 agosto 2025 nella Wikipedia multilingue gli utenti di Internet leggono più spesso articoli sui seguenti argomenti: Cristiano Ronaldo, Mercoledì, Georgina Rodríguez, ChatGPT, Weapon, Jenna Ortega, morti nel 2025, Taylor Swift, Miguel Uribe Turbay, UEFA Champions League 2025-2026.

Nella Wikipedia in finlandese gli articoli più popolari quel giorno erano: Viljo Vesterinen, Insiders, 007 ja kultainen silmä, Katja Kiuru, Säkkijärven polkka (vuoden 1955 elokuva), Luettelo Suomen kaupungeista, Perseidit, Mikko Reitala, Pernilla Wahlgren, Izabella Scorupco.

Il progetto è finalizzato alla valutazione relativa automatica degli articoli nelle diverse versioni linguistiche di Wikipedia. Al momento il servizio permette di confrontare oltre 44 milioni di articoli di Wikipedia in 55 lingue. I punteggi di qualità degli articoli si basano sui dump di Wikipedia del luglio 2025. Nel calcolare la popolarità attuale e l'intelligenza artificiale degli articoli sono stati presi in considerazione i dati del giugno 2025. Per i valori storici di popolarità e AI WikiRank ha utilizzato dati dal 2001 al 2025... More information